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Métrologie – MEB ZEISS ULTRA +

Description Technique

 

Resolution                                           

1.0 nm @ 15 kV, 1.7 nm @ 1 kV, 4.0 nm @ 0.1 kV

 

 

Résolution                      12 - 1,000 kx in SE mode, 100 - 1,000 kx avec EsB detector

Acceleration Voltage     2 kV - 30 kV (boost )

 

Détecteurs                      Haute efficacité In-lens SE2 detector

 

 

Stage

5-Axes Motorised  Eucentric Stage

X = 130 mm

Y = 130 mm

Z = 50 mm

T = -3 to 70°

R = 360° (continuous)

 

Echantillon : Wafer jusqu'à 4 ”

 

Résolution Image

Resolution: 3072 x 2304 pixel

 

 

EDX (XFlash® detector 5030)

 

 

Description Technique

Résolution énergie : 127 eV at Mn Kα (54 eV C Kα, 64 eV F Kα), garantie a plus de 50,000 cps

Plage de détection : from boron (5) to americium (95)

Maximum input : count rate 750,000 cps

30 mm2 de surface active en détection

Refroidissement : Peltier

 

Document :

 

Metrologie MEB zeiss UltraBrochure

Metrology MEB zeiss Brochure ULTRA

EDX Brochure

EDX brochure full

 

Metrology MEB EDX Notice francais

MEB Zeiss NOTICE anglais

Metrology MEB EDX Notice francais

Metrology MEB EDX Notice Anglais

 

EDX Periodic synergie 6

EDX Periodic Edax

Information aux utilisateurs de la PTA

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