Métrologie – MEB ZEISS ULTRA +
Description Technique
Resolution 1.0 nm @ 15 kV, 1.7 nm @ 1 kV, 4.0 nm @ 0.1 kV
Résolution 12 - 1,000 kx in SE mode, 100 - 1,000 kx avec EsB detector
Acceleration Voltage 2 kV - 30 kV (boost )
Détecteurs Haute efficacité In-lens SE2 detector
Stage
5-Axes Motorised Eucentric Stage
X = 130 mm
Y = 130 mm
Z = 50 mm
T = -3 to 70°
R = 360° (continuous)
Echantillon : Wafer jusqu'à 4 ”
Résolution Image
Resolution: 3072 x 2304 pixel
EDX (XFlash® detector 5030)
Description Technique
Résolution énergie : 127 eV at Mn Kα (54 eV C Kα, 64 eV F Kα), garantie a plus de 50,000 cps
Plage de détection : from boron (5) to americium (95)
Maximum input : count rate 750,000 cps
30 mm2 de surface active en détection
Refroidissement : Peltier
Document :