Les équipement de la PTA en Gravure
Gravure - Vue d'ensemble
- 2 graveurs plasma ICP
- Graveur profond à plasma ICP (procédé Bosch)
- 2 graveurs à faisceau d'ions (avec détection SIMS)
- 2 décapeurs de photo-résine plasma
- Graveur à vapeur HF
- Bancs chimiques pour la gravure humide
- Polissage mécanique chimique
- Graveur profond à plasma ICP (procédé Bosch)
- 2 graveurs à faisceau d'ions (avec détection SIMS)
- 2 décapeurs de photo-résine plasma
- Graveur à vapeur HF
- Bancs chimiques pour la gravure humide
- Polissage mécanique chimique
ICP Etcher (SI 500 324 From SENTECH)
This etching equipment (ICP ETCHER (SI 500 324 FROM SENTECH)) is dedicated to the etching of Si-CMOS compatible materials :
- Semiconductors : Si, Ge
- Oxides and nitrides : SiO2, HfO2, SiN, …
- Metals : Ta
- Carbon based material : Carbon nanotubes, graphene and resists.
- Semiconductors : Si, Ge
- Oxides and nitrides : SiO2, HfO2, SiN, …
- Metals : Ta
- Carbon based material : Carbon nanotubes, graphene and resists.
IBE etcher (scia Mill 150 from scia Systems)
Le système IBE (ion beam etcher) est un scia Mill 150 de scia Systems (support de substrat de 6 pouces, un faisceau d'ions Ar+ avec un système de détection du point final).
Le système IBE permet de graver en couche mince de nombreux matériaux (métal, matériaux magnétiques,...) et des empilements multicouches.
Le système IBE permet de graver en couche mince de nombreux matériaux (métal, matériaux magnétiques,...) et des empilements multicouches.
Microwave STRIPPER (Pico µW PCCE 7 from DIENER)
Pico µW PCCE 7 de DIENER est un outil dédié au décapage des photo-résine et des polymères.
HF vapour phase etcher (Primaxx Monarch3 from SPTS)
Le système Primaxx Monarch 3 est un outil modulaire à processus unique pour la gravure contrôlée en phase vapeur HF.
Le module Primaxx Monarch 3 effectue une gravure en phase vapeur, sélective et isotrope sur du SiO2 sacrificiel pour "libérer" des membranes ou d'autres structures.
Le module Primaxx Monarch 3 effectue une gravure en phase vapeur, sélective et isotrope sur du SiO2 sacrificiel pour "libérer" des membranes ou d'autres structures.
HDRF Stripper (DSB9000M from Plasma-Therm)
Le DSB9000M est un outil dédié au décapage des photo-résine et des polymères avec une vitesse de décapage élevée (> 1µm/min).
Etching : Deep RIE SPTS (SPX HRM 180)
Le SPX HRM 180 est un graveur plasma ICP (pour Inductively Coupled Plasma).
Cet outil de gravure est dédié à la gravure ionique réactive profonde (DRIE) du silicium selon le procédé BOSCH.
Cet outil de gravure est dédié à la gravure ionique réactive profonde (DRIE) du silicium selon le procédé BOSCH.
ICP Etcher (Plasmalab100 from Oxford)
Le plasmalab 100 est un graveur plasma ICP (pour Inductively Coupled Plasma).
Cet outil de gravure est dédié à la gravure de matériaux semi-conducteurs (Si, Ge...), oxydes ( SiO2, HfO2, SiN...), III-V (InP, AsGa, GaN,...), métalliques (Ti, Ta...) et organiques en utilisant des plasmas à base d'halogène (Br, F, Cl) ou d'oxygène.
Cet outil de gravure est dédié à la gravure de matériaux semi-conducteurs (Si, Ge...), oxydes ( SiO2, HfO2, SiN...), III-V (InP, AsGa, GaN,...), métalliques (Ti, Ta...) et organiques en utilisant des plasmas à base d'halogène (Br, F, Cl) ou d'oxygène.
Etching : IBE 01 Plassys (MU400 from Plassys)
Le système IBE (ion beam etcher) est un MU400 de Plassys (support de substrat de 4 pouces, un faisceau d'ions Ar+ avec un système de détection du point final).
Le système IBE permet de graver en couche mince de nombreux matériaux (métal, matériaux magnétiques,...) et des empilements multicouches.
Le système IBE permet de graver en couche mince de nombreux matériaux (métal, matériaux magnétiques,...) et des empilements multicouches.
Etching : ICP STS (STS multiplex from SPTS)
Le STS multiplex est un graveur plasma ICP (pour Inductively Coupled Plasma).
Cet équipement de gravure est dédié à la gravure des semi-conducteurs (Si, Ge...) et des oxydes (SiO2, SiN...), de certains métaux (Ti, Ta...) et des matériaux organiques en utilisant des plasmas à base de fluor ou d'oxygène.
Cet équipement de gravure est dédié à la gravure des semi-conducteurs (Si, Ge...) et des oxydes (SiO2, SiN...), de certains métaux (Ti, Ta...) et des matériaux organiques en utilisant des plasmas à base de fluor ou d'oxygène.