Gravure – Vue d’ensemble

2 Graveur plasma ICP fluoré ou/et chloré : graveur pour la gravure isotrope ou anisotrope des semi-conducteurs (Si, Ge, II-IV, III-V), des oxydes et des métaux

Graveur profond à plasma ICP fluoré (procédé Bosch) : équipement dédié à la gravure profonde anisotrope du silicium. Equipé d'un système de mesure de la profondeur de gravure.

2 graveurs à faisceau d'ions (avec détection SIMS) : équipement de gravure permettant de graver tous types de matériaux, la détection SIMS permet de contrôler la gravure à quelques nanomètres près.

Photorésist humide et 2 strippeurs plasma : équipement permettant l'élimination sélective du photorésist après les étapes de gravure ou de lift-off.

Graveur vapeur HF : gravure chimique par vapeur HF, équipement permettant de libérer les structures suspendues.

Traitements humides usuels, nettoyage et gravure : un ensemble de bains chimiques spécialement conçus pour la convivialité et surtout pour assurer un haut niveau de sécurité aux utilisateurs. Les postes sont divisés en zones d'activité (acide/alcalin, solvant, FH, lithographie) pour prévenir les risques chimiques.

Polissage mécano-chimique : équipement permettant de planariser la surface d'un échantillon pour lui donner une planéité compatible avec l'empilage technologique.

Séchage supercritique : équipement d'une ligne MEMs permettant de sécher les structures suspendues sans contrainte supplémentaire.