HDRF Stripper (DSB9000M from Plasma-Therm)
Description technique :
Stripper avec technologie HDRF® pour l'élimination des couches organiques (photorésine, polymères, résidus...).
Plasmasource HDRF® ICP
4 lignes de gaz : O2, N2, CF4, système vapeur H2O
Puissance du plasma de 150 W à 3 kW
Pression de la chambre : 0.2 à 2 Torr
Température du porte-substrat : de 80°C à 250°C
Taille et type d'échantillons : de petits échantillons à des wafers de 8 pouces, possibilité de stripping par lots double face (25 wafers)
Détection du point final par spectrophotomètre
Capacités du procédé :
Décapage rapide du photo-résine
Elimination du polymère Bosch après DRIE dans des structures 3D complexes
Libération à basse température des couches organiques sacrificielles
Élimination des résidus organiques
Sans dommage pour les dispositifs sensibles
Vitesse de décapage élevée jusqu'à 2 µm/min