Etching : Deep RIE SPTS (SPX HRM 180)

DEEP_RIE_Description technique:

Chambre à plasma ICP : Inductively Coupled Plasma avec excitation RF.

- Générateur RF de plasma (13,56 MHz et 0 à 3000 W) qui contrôle les propriétés du plasma

- Générateurs RF de polarisation (13,56 MHz de 0 à 300 W ou 380 kHz de 0 à xx W) qui contrôlent l'accélération des ions.

- Gaz disponibles : SF6, C4F8, O2, Ar

- Température de la paroi de la chambre 100°C

Système de sas de chargement avec transfert automatique vers la chambre à plasma

Porte-substrat : 

- Plaquette de 4" (nécessité d'une plaquette de support pour les échantillons de plus petite taille)

- Système de refroidissement : système de serrage mécanique avec contact thermique au dos de la plaque.

- Température du porte-substrat de -10°C à 20°C

Capacités du procédé :

Gravure profonde du silicium (vitesse de gravure > 4.5µm.min-1) en utilisant le procédé BOSCH TM (profondeur de gravure de 5µm à 750 µm)

Capacités de gravure au diamant