Etching : IBE 01 Plassys (MU400 from Plassys)

Description technique :

Source d'ions ICP issue de la technologie CCR (source COPRA)

- gamme d'énergie ionique (20 à 200 eV)

- densité d'ions (0,8 à 1,5 mA.cm-2)

- Gaz Ar et O2

Porte-substrat : porte-substrat inclinable (0 à 90°) avec rotation planétaire (10 à 20 rpm).

Système de serrage du substrat : l'échantillon sur le porte-substrat est refroidi par un flux d'eau à température ambiante.

Taille de l'échantillon : du petit échantillon aux plaquettes de 4''.

Détection du point final : spectromètre de masse à émission secondaire d'ions (SIMS) de Hiden (HAL IMP).

Capacités du procédé :

Le système IBE peut être utilisé pour de nombreuses applications dans le domaine des micro et naotechnologies (spintronique, photonique,..).

Le système IBE permet de graver de nombreux matériaux et des empilements multicouches :

- métal : Pt, Au, Ti, Ta,....

- matériaux magnétiques : Fe, Co, Ni, Pd ...

- Matériaux piézo-électriques : PZT, ... 

Contact : christophe.lemonias@cea.fr