ICP Etcher (Plasmalab100 from Oxford)

Description technique :

Chambre à plasma ICP : Inductively Coupled Plasma avec excitation RF.

- Générateur RF pour le plasma (13,56 MHz et 0 à 1200 W) qui contrôle les propriétés du plasma.

- Générateur RF de polarisation (13,56 MHz et 0 à 600 W) qui contrôle l'accélération des ions.

- Gaz disponibles : HBr, Cl2, SiCl4, CF4, CH2F2, SF6, CHF3, O2, Ar, N2, CH4.

- Température de la paroi de la chambre : 40°C

Système de sas avec transfert automatique vers la chambre à plasma.

Porte-substrat : 

- Plaquette 4" (besoin d'une plaquette de support pour les échantillons de plus petite taille)

- Système de refroidissement : Système de serrage mécanique avec contact thermique sur la face arrière.

- Température du porte-substrat de -80°C à 250°C

Système de détection du point final : Système d'émission optique et d'interférométrie (longueur d'onde du laser de 600 nm).

Capacités du procédé :

Cet équipement de gravure est dédié à la gravure des semi-conducteurs (Si, Ge...), des oxydes ( SiO2, HfO2, SiN...), des matériaux III-V (InP, AsGa, GaN,...), des métaux (Ti, Ta...) et des matériaux organiques en utilisant des plasmas à base d'halogène (Br, F, Cl) ou d'oxygène.