HDRF Stripper (DSB9000M from Plasma-Therm)

Description technique :

Stripper avec technologie HDRF® pour l'élimination des couches organiques (photorésine, polymères, résidus...).

Plasmasource HDRF® ICP

4 lignes de gaz : O2, N2, CF4, système vapeur H2O

Puissance du plasma de 150 W à 3 kW

Pression de la chambre : 0.2 à 2 Torr

Température du porte-substrat : de 80°C à 250°C

Taille et type d'échantillons : de petits échantillons à des wafers de 8 pouces, possibilité de stripping par lots double face (25 wafers)

Détection du point final par spectrophotomètre

Capacités du procédé  :

Décapage rapide du photo-résine

Elimination du polymère Bosch après DRIE dans des structures 3D complexes

Libération à basse température des couches organiques sacrificielles

Élimination des résidus organiques

Sans dommage pour les dispositifs sensibles

Vitesse de décapage élevée jusqu'à 2 µm/min