ICPCVD Sentech SI500D
Ce bâti est dédié au dépôt de couches d’oxyde de silicium SiOx, de nitrure de silicium SiNx et de silicium amorphe a-Si. Les épaisseurs accessibles vont de 10nm à quelques microns.
L’équipement est constitué d’un sas de chargement et de la chambre de dépôt. Le porte-substrat est compatible 8", 4" et 2" et accepte des petits échantillons moyennant de les coller sur une plaque. La température du porte substrat est variable (20°C à 300°C), le clampage est mécanique.
Les gaz disponibles pour les procédés sont au nombre de 8: Silane (SiH4), Ammoniac (NH3), Hélium (He), Argon (Ar), Azote (N2), Hydrogène (H2), Oxygène (O2), Tétrafluorure de carbone (CF4). Tous les gaz sont stockés à l’extérieur du bâtiment dans le module MDB9.
La chambre est de type ICP (pour Inductively Coupled Plasma): un premier générateur de 1200W RF (RadioFréquence : 13.56 MHz) génère le plasma par couplage inductif tandis qu'un second générateur de 300W RF polarise le plasma par couplage capacitif. Un système interférométrique laser de classe II (P≤ 1mW, 660-680nm) permet de suivre l'évolution du dépôt au cours du procédé. Le laser vient taper la surface de l'échantillon à travers une fenêtre situé sur le couvercle de la chambre. Une caméra vidéo couplée au laser, permet de visualiser la zone de mesure.