Lithography – Mask aligner : MJB4

DESCRIPTION TECHNIQUE :

• Alignement par contact : petit échantillon jusqu'au wafer 4 pouces

• 3 modes d'expositions:
  • Soft contact : Pression mécanique (résolution de 2.0 μm)
  • Hard contact : Pression mécanique + pression par jet d'azote ( 1 μm de résolution)
  • Vaccum contact : contact par vide ,  haute résolution

• Lampe UV (365 nm filtrer à  6 mW/cm²)

• Lampe DUV (240 nm filtrer à 4 mW/cm²)

• Tout type de substrat accepté , Tout type de matériaux accepté

• Masque de 4 ou 5 pouces

• Précision d'alignement 2µm

CAPACITE DE PROCESS :

Résines utilisés UV (0.8µm resolution)

• Positive : AZ1512HS – AZ4562 – AZ5214E

• Négative : AZ5214E – SU8-2005 – SU8-2025

Résines utilisés  DUV (0.5µm resolution)

• Positive : UV5 – AZTX1311

• Négative : MAN2403 – MAN2410 – NEB22AZ