lithographie – Aligneur de masque : MA8 (alignement face avant et arrière)

DESCRIPTION TECHNIQUE :

• Contact optical lithography for 2, 4, 6 and 8 inches wafer.

• 4 exposure modes:

 - Proximité

 - Soft contact : Pression mécanique (résolution de 2.0 μm)

 - Hard contact : Pression mécanique + pression par jet d'azote ( 1 μm de résolution)

 - Vaccum contact : contact par vide ,  haute résolution

• Lampe UV Hg, puissance 1000W:
o H-line [λ=405 nm] Þ 40 mW/cm² ;
o I-line [λ=365 nm] Þ 19 mW/cm².

• Taille du masque : 3 to 9’’.
• tout substat adapté

• Précision d'alignement :
o <1µm : Face arrière
o 0,5µm : Face avant avec alignement manuel
o 0,25µm : Face avant avec alignement automatique

CAPACITE DE PROCESS :

Main UV photoresit used:

• Positive : AZ1512HS – AZ4562 – AZ5214E
• Négative : AZ40XT – SU8-2005 – SU8-2025

Contact : christelle.gomez@grenoble-inp.fr