Lithography – Electronic beam lithography : JEOL6300FS

TECHNICAL DESCRIPTION

. Canon TFE , source électron de 100kV avec 2 modes (Haute vitesse ou Haute résolution)

. Contraole laser sur le stage λ/1024 =0.62nm.

. Fréquence maximun : 12MHz

. Field Stitching <20nm

. Alignement avec correction totale <15nm

. Mesure de hauteur sur l'échantillon

. Echantillon de 5x5mm à 8’’ wafers (Zone d'écriture maximun 6’’)

. Chargement automatique avec 10 cassettes

. Ré-alignment

PROCESS:

Resine Positive

PMMA4% 950K, PMMA2% 950K, PMMA4% 200K

PMMA/MMA (for bilayer),ZEP520A or UV5-0.6)

Resine Negative

XR-1541-004, Man2410 or NEB22A2

avec une résolution sur la résine de moins de 10nm.

La meilleur résolution apres un lift-off sur Ni est de 13nm.

Contact : jean-luc.thomassin@cea.fr